Նվիրատվություններ Սեպտեմբերի 15 2024 – Հոկտեմբերի 1 2024
Դրամահավաքի մասին
գրքերի որոնում
գրքեր
Նվիրատվություններ:
56.8% իրականացված է
Մուտք գործել
Մուտք գործել
մուտք գործելուց հետո օգտատերերին հասանելի են․
անհատականացված առաջարկություններ
Telegram բոտ
ներբեռնումների պատմությունը
էլ. փոստին կամ Kindle-ին ուղարկումը
հավաքածուների կառավարումը
ընտրյալներին պահպանումը
Անձնական
Գրքերի հարցումներ
Ուսումնասիրում
Z-Recommend
Գրքերի հավաքածու
Ամենահայտնի
Կատեգորիաներ
Մասնակցություն
Աջակցել
Ներբեռնումներ
Litera Library
Նվիրաբերել թղթե գրքեր
Ավելացնել թղթե գրքեր
Search paper books
Իմ LITERA Point-ը
Բանալի բառերի որոնում
Main
Բանալի բառերի որոնում
search
1
Мікроелектроніка. Елементи мікроелектроніки. Частина 1
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
рис
заряду
області
типу
транзистора
напруги
носіїв
переходу
струм
імс
електронів
силіцію
мдн
умов
струму
каналу
зміщення
провідності
значення
транзисторів
напруга
бази
напівпровідника
концентрація
стоку
база
поверхні
дірок
неосновних
областей
домішки
область
опз
gst
можемо
поля
діода
коефіцієнт
товщина
електричного
мкм
перехід
ємність
оскільки
напругу
фермі
використовують
формулою
si02
основи
Տարի:
2004
Լեզու:
ukrainian
Ֆայլ:
DJVU, 5.26 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
ukrainian, 2004
2
Екситоніка низькорозмірних систем
Шпак А.П.
,
Куницький Ю.А.
,
Смик С.Ю.
поверхні
рис
атомів
силіцію
електронів
станів
енергія
квантових
gaas
шару
зв’язку
напівпровідника
зони
енергії
поверхневих
екситона
фази
електрона
структури
шарів
області
зростання
напівпровідникових
поверхневої
ями
електрони
оскільки
підкладки
властивості
дірки
атоми
екситонів
провідності
квантові
структур
дірок
межі
істотно
відбувається
квантової
поглинання
хрому
взаємодії
значення
поверхнева
силіцій
системи
заряду
скт
спектр
Լեզու:
ukrainian
Ֆայլ:
PDF, 2.05 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
ukrainian
3
Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навчальний посібник
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
визначають
струм
області
переходу
типу
транзистора
розраховують
електронів
заряду
виразом
носіїв
формулою
зміщення
коефіцієнт
значення
напруга
дірок
розрахувати
насичення
температури
визначити
неосновних
умов
мкм
опір
конденсатора
база
бази
рис
колектора
домішки
товщина
резистора
концентрація
емітера
обчислюють
відносна
струму
розміри
діода
ємність
концентрації
напруги
довжина
спіралі
витік
колектор
похибка
прямого
силіції
Տարի:
2005
Լեզու:
ukrainian
Ֆայլ:
DJVU, 2.64 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
ukrainian, 2005
4
Хімія. 10 клас. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів
Перун
Буринська Н.М.
,
Величко Л.П.
карбону
речовин
речовини
кислоти
моль
реакції
властивості
сульфуру
сн2
газ
оксид
атомів
рівняння
сн3
s02
аміаку
сполук
солі
кислота
сполуки
утворюється
реакцій
молекули
складу
органічних
вигляді
вугілля
метану
нітрогену
напишіть
газу
натрію
оксиду
природі
фосфор
ї
воді
відбувається
сі
кальцію
хімічні
амонію
використовують
добування
нафти
силіцію
вуглеводнів
с02
сульфатної
водою
Տարի:
2004
Լեզու:
ukrainian
Ֆայլ:
DJVU, 8.45 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
ukrainian, 2004
1
Հետևեք
այս հղմանը
կամ որոնեք @BotFather բոտը Telegram-ում
2
Ուղարկեք /newbot հրամանը
3
Նշեք ձեր բոտի անունը
4
Նշեք բոտի օգտատիրոջ անունը
5
Պատճենեք վերջին հաղորդագրությունը BotFather-ից և տեղադրեք այն այստեղ
×
×